RC delay가 어떤 느낌인지는 알고있었지만 제대로 몰라 공부해봤습니다.


하지만 깔끔한 자료들이 생각보다 없더라고요.


그러나.But!


http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=59100893&qb=UkMgZGVsYXk=&enc=utf8&section=kin&rank=2&search_sort=0&spq=1&pid=TFwZPdpVuEwssZs/LEGssssssNK-135487&sid=JYuNazvneYPYcTWMQc4riQ%3D%3D


이 지식인 답변 정말 깔끔합니다!


이걸 토대로 설명 드릴게요!


RC직렬 회로에서 RC Delay를 설명하는 그림입니다.


위의 그림은 충전되는 경우인데요.


처음에는 저항에 모든 전압이 걸리게 되지만 캐패시터에 전하가 축적되면서 충전되기 시작하면서


캐패시터의 전위가 상승합니다. 


결과적으로 캐패시터에 걸리는 전압이 증가하는 만큼 저항에 걸리는 전압이 감소합니다.


캐패시터에 걸리는 전압이 V가 되는순간 저항에 걸리는 전압은 0이 됩니다.


이제 방전되는 경우입니다.


위에는 전압을 통해서 캐패시터를 충전했지만 이번에는 0V로 캐패시터를 방전시킵니다.


처음에 저항의 전압이 위에는 0이었는데 갑자기 왜 저런가 생각해봤는데


양끝단의 전압이 0V이기 때문에 캐패시터의 전압과 크기는 같지만 반대 방향의 전압이 걸리는 것으로 생각됩니다.





이 충방전 속도는 R에 따라서 달라지는데 이 이유는 R이 전류를 제어하기 때문입니다.


R이 클수록 전류가 작아서 이 경우에는 방전이 천천히 되겠죠!


C의 값도 클수록 충전, 방전되야하는 양이 많으니 방전이 천천히 되겠죠!


이 충방전 속도 때문에 회로에서 딜레이가 생기게 됩니다.


이게 문제가 되는 이유는 스위칭 회로에서


LOW에서 HIGH로 빠르게 바꿔주는 경우 딜레이가 생기면 회로에서 빠르게 바뀌지 못합니다.


따라서 현재 반도체 공정에서 R의 값을 낮추기 위해서 Al 대신 Cu를 사용하고 C의 값을 낮추기 위해서 Low K 물질을 사용하고 있습니다.  

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