FinFET에 관해서 포스팅을 했었는데 요새 GAAFET가 화제인 거 같더라고요!
kkhipp.tistory.com/59?category=799458
GAA에 관해서 포스팅해보겠습니다.
4나노 공정 밑으로 가면서 FINFET으로도 한계(동작전압 내리는 데에 한계)가 있어서 GAAFET이 나왔습니다.
가장 큰 차이점은 FinFET은 게이트가 채널을 3면을 만나고 있지만 GAA는 4면을 모두 만나고 있어 표면적이 더욱 늘어났다는 점입니다.
그리고 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)은 더 나아가 GAA의 채널이 얇기 때문에 전류에 한계가 있어 이를 더 넓혀 개선한 구조입니다.
여기서 GAA 구조의 장점을 더 설명해보자면
채널의 수가 늘어나도 FET가 차지하는 하단부 면적은 늘어나지 않아 소형화에 용이하고 채널의 폭과 수에 대한 컨트롤이 용이하기 때문에 고객사 대응에 더 좋습니다.
파운더리 산업에서 3나노에 빨리 대응하여 삼성전자의 점유율이 더욱 올라갔으면 좋겠네요!
참고
www.samsungsemiconstory.com/2171
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